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                      ~6nm/8nmプロセスをロードマップに追加も

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                    • 連載福田昭のセミコン業界最前線

                      次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表

                      (2017/2/16)

                    • 連載福田昭のセミコン業界最前線

                      STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来

                      (2016/12/6)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      次世代モバイルSoCとGPUを支えるSamsungの10nmプロセス

                      (2016/12/5)

                    • スマホもメモリ8GBの時代に。Samsungが新メモリ開発

                      (2016/10/20)

                    • Samsung、10nm FinFETでのSoC量産を開始

                      ~2017年初頭にも搭載デバイスが登場、下半期には第2世代プロセスの量産を予定

                      (2016/10/17)

                    • 連載福田昭のセミコン業界最前線

                      Intel-Micron連合の3D XPointメモリに対抗するSamsungの「Z-NAND」技術

                      (2016/9/6)

                    • 連載福田昭のセミコン業界最前線

                      記憶容量拡大の階段を急速に駆け上がる3D NANDフラッシュ

                      (2016/8/19)

                    • Samsung、10nm級世代のDDR4を量産開始

                      ~従来比で30%高速化、最大20%省電力に

                      (2016/4/5)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      次世代メモリ「HBM2」の詳細が明らかに

                      (2016/3/4)

                    • Samsung、容量256GB転送速度850MB/secのスマホ用超高速フラッシュ

                      ~PC用SATAを超える速度を実現

                      (2016/2/26)

                    • Samsung、帯域が2倍になった第2世代HBMの量産を開始

                      ~ビデオカード向けの8GB HBM 2も年内生産

                      (2016/1/19)

                    • PC用より2倍高速な12Gbit LPDDR4をSamsungが開発

                      (2015/9/9)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      Samsungが256G-bitの3D NANDチップで16TBのSSDを実現

                      (2015/8/13)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      20nmプロセスへと微細化しLPDDR4への移行が進むモバイルDRAM

                      (2015/7/3)

                    • Samsung、DRAMとフラッシュ、コントローラを統合したePoPメモリを量産開始

                      ~ハイエンドスマートフォン向け

                      (2015/2/4)

                    • Samsung、業界初の8Gbit LPDDR4を量産開始

                      ~4GBパッケージを2015年から提供

                      (2014/12/25)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      IntelとTSMC/Samsungが3Dトランジスタで激突

                      (2014/9/3)

                    • Samsung、TSV技術を用いて3次元実装した初のDDR4

                      (2014/8/29)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      次世代GPUやSoCの行方を左右する3Dトランジスタレース

                      (2014/5/22)

                    • SamsungとSK Hynixが初のモバイル向けLPDDR4を開発

                      (2014/1/4)

                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      ワンチップ128GBのフラッシュメモリを実現する3D NAND技術

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                    • 連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース

                      Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける

                      (2013/8/19)

                    • 3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー

                      (2013/8/19)

                    • 【MemCon 2013レポート】
                      Samsungが考える次世代のメモリアーキテクチャ

                      (2013/8/12)

                    • Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始

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                    • Samsung、840 EVO発表会で高速化機能などを解説

                      (2013/7/19)

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